随着电子设备向高频化、大功率化发展，兼具优异绝缘与导热性能的材料成为技术关键。氧化铍陶瓷以其高达200-250W/(m·K)的导热系数、高抗折强度、低介电损耗及高绝缘性，成为高端电子器件的理想基板材料。通过金属化工艺（如厚膜烧结、直接键合铜和活性金属焊接），可在其表面形成牢固的金属层，使其能够连接芯片与电路，广泛应用于高频大功率场景。
然而，氧化铍陶瓷的普及面临多重限制：原料氧化铍粉末具有剧毒，需严格防护，推高了安全成本；原材料价格昂贵，且金属化工艺复杂，良品率仅60%-70%，导致整体成本高昂；此外，其在高温下热稳定性会下降，并可能分解产生有毒气体。与此同时，氮化铝和碳化硅等替代材料在成本、安全性和高温稳定性方面展现出优势，正逐步占领民用市场。因此，氧化铍陶瓷未来可能更多应用于航天、军工等特定高端领域，而非主流选择。
相关图片：
